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新增基于跌幅检测的快速电压保护机制，在100us周期内响应电压异常， 当电压跌幅超过阈值或低于绝对下限时立即关机保护。同时添加PWM输出 调试模式便于硬件测试。 BREAKING CHANGE: 重构了电压检测逻辑，采用峰值跟踪算法替代固 定阈值检测，提高在动态供电环境下的可靠性
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C++
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#ifndef __FLASH_H
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#define __FLASH_H
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#include "gd32c10x.h" // 添加GD32主头文件以确保外设函数声明可用
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#include <cstdint>
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// 修改后 - 强制4字节对齐
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#define ALIGN_4BYTE(addr) ((addr) & 0xFFFFFFFC) // 4字节对齐
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// EEPROM操作状态
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typedef enum {
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FLASH_EEPROM_OK = 0, // 操作成功
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FLASH_EEPROM_WRITE_ERROR, // 写入错误
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FLASH_EEPROM_READ_ERROR, // 读取错误
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FLASH_EEPROM_ERASE_ERROR, // 擦除错误
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FLASH_EEPROM_INVALID_ADDR, // 无效地址
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FLASH_EEPROM_DATA_NOT_FOUND, // 找不到数据
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FLASH_EEPROM_CRC_ERROR, // CRC错误
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FLASH_EEPROM_ALIGNMENT_ERROR, // 对齐错误
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} FlashEepromStatus;
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// Flash EEPROM类
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class FlashEEPROM {
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public:
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// EEPROM emulation constants
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static constexpr u32 EEPROM_START_ADDRESS = 0x0801F800; // 第一页(1KB)
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static constexpr u32 EEPROM_DATA_PAGE2_ADDRESS = 0x0801FC00; // 第二页(1KB)
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static constexpr u32 EEPROM_END_ADDRESS = 0x08020000; // Flash结束地址
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static constexpr u32 EEPROM_MAX_SIZE = 0x800; // EEPROM最大容量
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static constexpr u32 EEPROM_DATA_START_ADDRESS =
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0x0801F900; // DATA段开始地址
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static constexpr u32 DATA_FLOAT_MASK = 0xFFFFFF00; // float存储地址掩码
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static constexpr u32 DATA_U16_MASK = 0xFFFF0000; // u16存储地址掩码
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static constexpr u32 DATA_ADDR_MASK = 0x000000FF; // 虚拟地址掩码
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// 定义用户自定义的虚拟地址
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static constexpr u8 ADDR_CONTROL_MODE = 0x0; // 控制模式
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static constexpr u8 ADDR_ANGLE = 0x01; // 角度数据存储地址
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static constexpr u8 ADDR_TARGET_ANGLE = 0x02; // 角度命令数据存储地址
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static constexpr u8 ADDR_TARGET_VEL = 0x03; // 速度命令数据存储地址
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static constexpr u8 ADDR_VOLTAGE_LIMIT = 0x4; // 电压限制
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static constexpr u8 ADDR_VEL_LIMIT = 0x05; // 角度数据存储地址
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static constexpr u8 ADDR_NODE_ID = 0x06; // 节点 ID 存储地址
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bool angle_saved = false;
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bool system_config_saved = false;
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u8 EEPROMStatus;
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// 构造函数
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FlashEEPROM();
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// 初始化Flash EEPROM模拟
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u8 init();
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// 从Flash EEPROM中读取数据
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FlashEepromStatus read(u8 virtualAddr, u16 *data) const;
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// 向Flash EEPROM写入数据
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FlashEepromStatus write(u8 virtualAddr, u16 data);
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// Float数据读相关函数
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FlashEepromStatus readFloat(u8 virtualAddr, float *data) const;
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// Float数据存储相关函数
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FlashEepromStatus writeFloat(u8 virtualAddr, float data);
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// 格式化Flash EEPROM页面
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FlashEepromStatus format();
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FlashEepromStatus save_system_config(bool saved);
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u8 read_saved_system_config(void);
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float read_angle();
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// 节点 ID 独立读写函数（使用魔数+双重备份+计数器机制）
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// 从 Flash 读取节点 ID（带魔数验证和双重备份回退）
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FlashEepromStatus readNodeId(u16 *node_id) const;
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// 保存节点 ID 到 Flash（写入主备份和备用备份）
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FlashEepromStatus writeNodeId(u16 node_id);
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// 擦除节点 ID 存储区（恢复默认值）
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FlashEepromStatus eraseNodeId();
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private:
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FlashEepromStatus writeCRC(u32 CRC_NUM, bool saved);
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};
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void flash_eeprom_example_main(void);
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u8 OTA_SET(u32 addr, u32 data);
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fmc_state_enum move_app_data(void);
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fmc_state_enum write_ADDRESS(u32 address, u32 data);
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#endif /* __FLASH_H */ |